MURT10020R
MURT10020R
Artikelnummer:
MURT10020R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16087 Pieces
Datenblatt:
1.MURT10020R.pdf2.MURT10020R.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 50A
Spannung - Sperr (Vr) (max):200V
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):75ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Andere Namen:MURT10020RGN
Betriebstemperatur - Anschluss:-40°C ~ 175°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MURT10020R
Expanded Beschreibung:Diode Array Standard, Reverse Polarity 200V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Diodentyp:Standard, Reverse Polarity
Diodenkonfiguration:-
Beschreibung:DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

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