MURT10060
MURT10060
Artikelnummer:
MURT10060
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18869 Pieces
Datenblatt:
1.MURT10060.pdf2.MURT10060.pdf

Einführung

BYCHIPS ist der Strumpfhändler für MURT10060, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MURT10060 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen MURT10060 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie

Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.7V @ 100A
Spannung - Sperr (Vr) (max):600V
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):75ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Andere Namen:MURT10060GN
Betriebstemperatur - Anschluss:-40°C ~ 175°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MURT10060
Expanded Beschreibung:Diode Array Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:-
Beschreibung:DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung