Kaufen MURT10060R mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
MURT10060R
- Artikelnummer:
- MURT10060R
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16805 Pieces
- Datenblatt:
- 1.MURT10060R.pdf2.MURT10060R.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für MURT10060R, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MURT10060R per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.7V @ 100A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse: | Three Tower |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 75ns |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Three Tower |
| Andere Namen: | MURT10060RGN |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -40°C ~ 175°C |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | MURT10060R |
| Expanded Beschreibung: | Diode Array Standard, Reverse Polarity 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Diodentyp: | Standard, Reverse Polarity |
| Diodenkonfiguration: | - |
| Beschreibung: | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für MURT10060R
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Anfrage |
|
MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | Anfrage |
|
MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | Anfrage |
|
MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER | Anfrage |
|
MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | Anfrage |
|
MURT10020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | Anfrage |
|
MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | Anfrage |
|
MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER | Anfrage |
|
MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog