NTF6P02T3G
NTF6P02T3G
Artikelnummer:
NTF6P02T3G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13203 Pieces
Datenblatt:
NTF6P02T3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-223
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 6A, 4.5V
Verlustleistung (max):8.3W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen:NTF6P02T3GOS
NTF6P02T3GOS-ND
NTF6P02T3GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Hersteller-Teilenummer:NTF6P02T3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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