QS8J4TR
QS8J4TR
Artikelnummer:
QS8J4TR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13960 Pieces
Datenblatt:
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Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:TSMT8
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:56 mOhm @ 4A, 10V
Leistung - max:550mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:QS8J4TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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