RRH050P03GZETB
RRH050P03GZETB
Artikelnummer:
RRH050P03GZETB
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15499 Pieces
Datenblatt:
RRH050P03GZETB.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):650mW (Ta)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:RRH050P03GZETBCT
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:RRH050P03GZETB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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