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GA50JT06-258
- Artikelnummer:
- GA50JT06-258
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS SJT 600V 100A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15663 Pieces
- Datenblatt:
- GA50JT06-258.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für GA50JT06-258, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für GA50JT06-258 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-258 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 50A |
| Verlustleistung (max): | 769W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-258-3, TO-258AA |
| Andere Namen: | 1242-1253 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | GA50JT06-258 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | - |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | 600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | TRANS SJT 600V 100A |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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